NAND gęstsze od HDD
9 lutego 2016, 12:24Po raz pierwszy w historii układy flash NAND charakteryzują się większą gęstością zapisu niż dyski HDD. Podczas 2016 IEEE International Solid State Circuits Conference Micron przedstawił dane, z których wynika, że w układach NAND można na tej samej powierzchni zapisać więcej danych niż w tradycyjnych HDD
Nie kręcą się
15 września 2006, 10:40Korporacja TDK zaprojektowała najmniejszy w swojej klasie dysk twardy, w którym nie zastosowano elementów mechanicznych. Urządzenie bazuje bowiem na pamięciach NAND flash.
SanDisk prezentuje przełomowe pamięci flash
12 lutego 2009, 17:41Podczas International Solid State Circuits Conference San Disk zaprezentował wyjątkowo gęste pamięci flash. Firma w pojedynczej komórce upakowała cztery bity, podczas gdy w obecnie wykorzystywanych kościach znajdują się 1-2 bitów.
Francuzi pokazali 96-rdzeniowiec z chipletów. Aktywny rozdzielacz kluczem do sukcesu
19 lutego 2020, 18:34Przez dekady na pojedynczym kawałku krzemu starano się zintegrować coraz więcej podzespołów. Dzisiaj mamy tego rezultat w postaci układów typu system-on-chip. Jednak w miarę wzrostu skomplikowania takich układów zaczęły rosnąć koszty i pojawiało się coraz więcej problemów produkcyjnych.
Superszybka pamięć IBM-a
15 lutego 2007, 14:30Podczas International Solid State Circuits Conference (ISSCC) IBM pokazał najszybszą w historii kość pamięci. Dzięki zastosowaniu nowej technologii układ eDRAM (Embedded Dynamic Random Access Memory) Błękitnego Giganta charakteryzuje się nie tylko najkrótszym czasem dostępu do danych, ale również ponadtrzykrotnie większą pojemnością niż analogiczne produkty konkurencji.
Optyczne łączenie chipów
13 lutego 2009, 11:28Intel jest jednym ze światowych liderów badań nad krzemową fotoniką. Firma ma na tym polu duże osiągnięcia, o których informowaliśmy już niejednokrotnie.
Uczeni z Princeton pokazali, jak kontrolować i mierzyć spin indywidualnych jonów w krysztale
24 listopada 2020, 10:32Stany spinów splątanych atomów erbu znajdujących się w krysztale mogą być indywidualnie kontrolowane i odczytywane, donosi na łamach Science Jeff Thompson i jego koledzy z Princeton University. Naukowcom udało się dokonać pomiarów indywidualnych jonów znajdujących się w bardzo bliskiej odległości
GDDR4 z 4-gigahercowym zegarem
23 lutego 2007, 11:23Podczas International Solid State Circuits Conference (ISSCC) Samsung pokazał układy GDDR4 taktowane zegarem o częstotliwości 4 GHz. Kości są o około 40% szybsze niż obecnie stosowane GDDR4, do pracy potrzebują jednak więcej mocy.
Szybkie i niedokładne
18 lutego 2009, 17:10Podczas International Solid State Circuits Conference (ISSCC) naukowcy z Rice University pokazali pierwszy probabilistyczny procesor (PCMOS - Probabilistic CMOS). Urządzenie działa siedmiokrotnie szybciej i zużywa 30-krotnie mniej energii niż najbardziej wydajne współczesne kości.
Samsung umieścił sztuczną inteligencję wewnątrz układu pamięci
18 lutego 2021, 13:08Firma Samsung Electronics poinformowała o stworzeniu pierwszego modułu High Bandwidth Memory (HBM) zintegrowanego z modułem obliczeniowym wykorzystującym sztuczną inteligencję – HBM-PIM. Architektura processing-in-memory (PIM) umieszczona wewnątrz wysokowydajnych modułów pamięci ma służyć przede wszystkim przyspieszeniu przetwarzania danych
